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半導體行業(芯片制造)

西安三星FAB棟通風工程項目

承建時間:2013/06/01-2013/12/31

建筑面積:36.4(萬平方米)

潔凈面積:15.5(萬平方米)

潔凈級別:千級

承包范圍:FAB棟風管安裝(EAST,NORTH)鍍鋁鋅風管、特氟龍風管、FM-PVC風管安裝、調試。

項目亮點:12英寸閃存芯片項目,FAB是西安三星項目部接觸的主體建筑,FAB棟南北跨度406m,東西跨度192m,共四層,三層為wafer的工藝生產區域,是當時單體建筑最大的廠房。西安三星半導體工程屬國家級項目,公司參與建設FAB棟通風工程為主廠房重要系統,通過公司的努力,獲得“國家優質工程獎”。

 

項目高清效果圖(鳥瞰圖)

 

項目高清效果圖(鳥瞰圖)

項目所獲獎項

2016-2017年度國家優質工程獎

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