建設(shè)單位:華虹無錫半導(dǎo)體
項(xiàng)目地點(diǎn):江蘇省無錫市
服務(wù)內(nèi)容:深化設(shè)計(jì)
項(xiàng)目投資:100億美元(一期25億美元)
建設(shè)規(guī)模:總用地面積466485㎡;一期建筑面積63222㎡;一期潔凈室面積32450㎡
建設(shè)周期:2018-2019
項(xiàng)目產(chǎn)品:12英寸芯片(90-65nm)
項(xiàng)目產(chǎn)能:40K片/月